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  • 科研型原子层沉积系统ALD系芬兰picosun公司R-200 standard原子层沉积技术,具有**的热壁设计和单独的入口,可实现无颗粒工艺,适用于晶圆,3D对象和所有纳米级特征上的多种材料。
  • 开尔文探针系统Kelvin Probe可用于光电化学中,精确测量不同半导体和导电材料的功函数,精度高。表面态在样品的电荷转移和功函数变化中起着重要作用。
  • 超高真空开尔文探针系统帮助用户充分利用真空下的工作功能和接触电位差(CPD)测量。每个系统都配有高质量的手动或电动转换器,可实现可靠和准确的针尖到样品定位,无与伦比的跟踪系统在测量过程中始终保持针尖分离恒定。即使在真空下,功函数的分辨率也为1-3mev。
  • 表面光电压谱仪是专业为研究光敏材料(如有机半导体、太阳能电池或光敏染料)设计的表面光电压仪器,Surface Photovoltage.
  • 我们的单点开尔文探针系统采用非零信号检测方法对材料的功函数/费米能级进行非常高质量的测量。
  • 这款大范围扫描开尔文探针系统帮助用户可以访问从50mm到350mm的样品的二维和三维功函数图。扫描开尔文探针的功函数分辨率为1-3meV,探针尖端直径的空间分辨率为0.05mm,可对功函数、接触电位差和伏特电位进行可靠、可重复的测量。
  • 环境压力光电子发射光谱仪系统是为大气环境下光电子能谱测量设计的光电子能谱仪器,Photoemission Spectroscopy,通过空气中的光电发射测量材料的绝对功函数,不需要真空,具有英国和全球**。环境压力光电子发射光谱仪系统在3.4eV到7.0 eV的激发范围内能够测量金属的绝对功函数(精度:0.05 eV)和半导体的电离电位。
  • 这套聚焦离子束蚀刻系统是一种超高真空UHV条件多功能FIB系统,既可以配置为扫描电子显微镜SEM,也可以配置为结合SEM和高性能聚焦离子束FIB的双束平台。
  • 超高真空极低温强磁场扫描隧道显微镜是高性能扫描隧道显微镜应用于前沿表面科学研究的理想工具,实现了***低的基温和强磁场。基问可达40mK (typecal 30 mK),可以根据研究目标定制样品制备系统,是研究超导性和低温物理的基础。
  • 低温高真空针尖增强拉曼光谱系统采用全球**种低温单分子成像方法,在低温高真空条件下,可实现亚纳米级拉曼光谱成像,提高信噪比和灵敏度。
  • 这超高真空超低温四探针SPM是超高真空室内应用设计的UHV极低温多探针扫描探针显微镜,得益于多探针SPM*异性能,这款产品可用于纳米技术。这超高真空超低温四探针SPM采用四个独立控制的探针扫描显微镜,用于器件评价和超低温等宽温度范围内的微纳尺度表面电导率测量。
  • 这高真空极低温扫描探针显微镜是超高真空室内应用设计的高真空极低温SPM扫描探针显微镜,可搭建成近场扫描显微镜和拉曼显微镜。
  • 超低温磁场扫描隧道显微镜是超低温高磁场表面物理研究设计的STM扫描隧道显微镜。
  • 这款低温UHV扫描探针显微镜是超高真空室内应用设计的高真空低温SPM扫描探针显微镜。样品预处理和探针清洗可在超高真空室中进行,使超低温STM/AFM能够进行原子或分子水平的分辨率观测。
  • 这款晶圆热退火炉是半导体晶片惰性气氛快速热退火系统,适合晶圆的***大直径为100mm,晶圆通过上部快速检修门手动装入腔室,并放置在热补偿石墨台上。加热器系统基于线性卤素灯,位于炉体下方。这种设计确保了均匀的晶圆加热,沿晶圆表面具有红外发射的非均匀吸收(例如,具有成形金属拓扑结构的晶圆)。
  • 这款半导体经晶圆热处理系统是为半导体晶圆在可控气体、真空、氧化或还原气氛中的晶圆高温处理系统,可对晶圆真空退火,氧气退火处理。 铝室的特殊设计允许在极高温度(高达1300°С)下进行热退火,并结合长时间退火(高达60分钟)。
  • 等离子体增强化学气相沉积系统是采用PECVD技术专业为介质膜镀膜设计的化学气相沉积设备。
  • 电感耦合等离子体化学气相沉积系统是为等离子化学蚀刻系统应用设计的反应离子蚀刻RIE和ICPCVD系统,将反应离子刻蚀RIE和电感耦合等离子体刻蚀ICP两种等离子体化学刻蚀模式相结合.
  • 电子束蒸发系统是按照“从实验室到工厂”的方法设计的电子束镀膜蒸发系统,既适用于密集的研发活动,也适用于中试生产。考虑到“提离”工艺的具体特点,该电子束蒸发系统适用于直径不超过200mm的单晶片以及安装在球形型材支架上的3×∅3“或6×∅2”晶片的沉积。
  • 磁控溅射物理气相沉积是多功能高压PVD系统,用于磁控溅射和多组分薄膜的热蒸发,用于批量晶圆物理气相沉积加工.
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